MOS

SI7489DP-T1-GE3

品牌：VISHAY

封装：SON8

数量：3000 PCS

批号：1625+

说明：3000/盘,全新原装，公司长期特价销售，品质保证，支持原厂订货！详情面议

联系人： 李先生

手 机：  15012764936   

直 线：  0755-82785381  82781578

业务Q    1049720034

产品参数：

产品种类: MOSFET

制造商: Vishay

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 100 V

Id-连续漏极电流: 7.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 100 ns

高度: 1.04 mm

长度: 4.9 mm

工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 5.2 W

上升时间: 20 ns, 160 ns

系列: SI7

工厂包装数量: 3000

商标名: TrenchFET

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 110 ns, 100 ns

典型接通延迟时间: 15 ns, 42 ns

宽度: 5.89 mm

零件号别名: SI7489DP-GE3

单位重量: 506.600 mg